[发明专利]基板处理装置、基板处理系统、及基板处理方法在审
| 申请号： | 201680043042.0 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107851570A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 小畠严贵;八木圭太;盐川阳一 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司31300 | 代理人： | 张丽颖 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法，是在处理液存在下，使基板与催化剂接触来处理基板。该方法具有在用于高速处理基板的指定处理条件下对基板进行处理的步骤；及在同一基板的处理中，变更处理条件以低速处理基板的步骤。根据该方法，在基板处理程序途中，即使程序要求不同仍可进行最佳处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，在处理液存在下，使基板与催化剂接触来处理所述基板，其特征在于，具有：在用于高速处理所述基板的指定处理条件下，对所述基板进行处理的步骤；及在同一基板的处理中，变更所述处理条件，以低速处理所述基板的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
