[发明专利]用于制造纳米结构的方法在审
| 申请号： | 201680043103.3 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107849735A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | S·韦齐恩;B·达米拉诺;J·布罗 | 申请（专利权）人： | 国立科学研究中心 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/60;C30B33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造至少一种类型的纳米结构(30、35、37)的方法，其包括以下步骤用不连续掩模(4)部分地覆盖单晶一层或多层结构(3)的表面，形成具有至少一个亚微米侧向尺寸并且由具有高于所述一层或多层结构的蒸发温度的蒸发温度的材料制成的离散小岛；和在真空下将所述一层或多层结构加热至高于所述一层或多层结构的所述蒸发温度但低于所述掩模的蒸发温度的所谓的蚀刻温度，以使得所述一层或多层结构在被所述掩模覆盖的区域之外蒸发。本发明还涉及可通过此类方法制造的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造至少一种类型的纳米结构(30、35、37)的方法，其包括以下步骤：‑用不连续掩模(4)部分地覆盖单晶一层或多层结构(3)的表面，形成具有至少一个亚微米侧向尺寸并且由具有高于所述一层或多层结构的蒸发温度的蒸发温度的材料制成的离散小岛；和‑在真空下将所述一层或多层结构加热至高于所述一层或多层结构的蒸发温度但低于所述掩模的蒸发温度的所谓的蚀刻温度，以使得在被所述掩模覆盖的区域之外的所述一层或多层结构蒸发。
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