[发明专利]用于半导体器件的金属化的导电条带基掩模在审

专利信息
申请号: 201680043215.9 申请日: 2016-09-14
公开(公告)号: CN107851683A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 尼尔斯-彼得·哈德 申请(专利权)人: 道达尔销售服务公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 顾丽波,张娜
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了用于制造半导体器件的方法以及所得的半导体器件。在一个实施例中,所述用于制造半导体器件的方法包括形成半导体区域以及在所述半导体区域上方形成金属晶种区域。所述方法可包括将导电条带置于所述金属区域的第一部分上方,其中所述导电条带形成于所述半导体区域上方。所述方法可包括使所述导电条带的接触部分键合到所述金属区域的所述第一部分。所述方法可包括蚀刻所述金属区域的第二部分,并且其中所述导电条带阻止对所述金属区域的所述第一部分的蚀刻。在一个实施例中,所述导电条带可带有涂层。在一个实施例中,所述半导体器件可以是太阳能电池。
搜索关键词: 用于 半导体器件 金属化 导电 条带 基掩模
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:形成第一半导体区域;在所述第一半导体区域上方形成第一金属区域;将第一导电条带置于所述第一金属区域的第一部分上方,其中所述第一导电条带形成于所述第一半导体区域上方;使所述第一导电条带的接触部分键合到所述第一金属区域的所述第一部分以使所述第一导电条带电连接到所述第一金属区域;以及在所述第一半导体区域上方形成第一导电触点,其中所述形成包括蚀刻所述第一金属区域的第二部分,并且其中所述第一导电条带阻止对所述第一金属区域的所述第一部分的蚀刻。
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