[发明专利]多晶硅制造用反应炉及多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201680043217.8 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107848810B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黑泽靖志;祢津茂义;星野成大 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C01B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的反应炉(200)具备作为能够收容硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。在该反应炉(200)中，仅在需要硅芯线(12)的初始加热时将碳加热器(13)向析出反应空间(20)载入，在硅芯线(12)的初始加热结束后将碳加热器(13)从析出反应空间向加热器收纳部(30)卸载。由此，碳加热器(13)在反应炉内不会受到必要以上的损害，能抑制劣化，而且能抑制与炉内的氢气的反应，因此抑制甲烷的产生，也抑制向多晶硅的碳污染。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 反应炉 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅制造用反应炉，是用于通过西门子法来制造多晶硅的反应炉，所述多晶硅制造用反应炉具备：作为使多晶硅析出到硅芯线上的空间部的析出反应部；及作为能够收容所述硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。
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