[发明专利]以晶片级生产光学传感器的方法和光学传感器有效
申请号: | 201680043242.6 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN107851676B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 哈拉尔德·埃奇迈尔;格雷戈尔·托施科夫;托马斯·波德纳;弗朗茨·施兰克 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/173;G01J1/02;G01J5/04;H01L31/0203 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;杨生平 |
地址: | 奥地利温特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 以晶片级生产光学传感器的方法,包括以下步骤:提供具有主顶表面和主背表面的晶片,以及在晶片的顶表面处或附近布置具有至少一个光敏组件的至少一个第一集成电路。此外,在晶片中提供用于经由背表面电接触至少一个第一集成电路的至少一个衬底通孔,并且通过在晶片的顶表面上方对第一模具材料进行晶片级模制而形成透明的第一模具结构,使得第一模具结构至少部分地包围第一集成电路。最后,通过在第一模具结构上方对第二模具材料进行晶片级模制来形成不透明的第二模具结构,使得第二模具结构至少部分地包围第一模具结构,在透明的第一模具结构的至少一个顶表面的顶部上留下孔径。 | ||
搜索关键词: | 晶片 生产 光学 传感器 方法 | ||
【主权项】:
一种以晶片级生产光学传感器的方法,该方法包括以下步骤:‑提供具有主顶表面(10)和主背表面(13)的晶片(1);‑在所述晶片的顶表面(10)处或附近布置具有至少一个光敏组件(12)的至少一个第一集成电路(11);‑在所述晶片(1)中提供用于电接触背表面(13)的至少一个衬底通孔(14);‑通过使用第一结构化的模具工具在所述晶片(1)的顶表面(10)上方通过对第一模具材料进行晶片级模制来形成第一模具结构(2),使得所述第一模具结构(2)至少部分地包围所述光敏组件(12);以及‑随后通过使用平坦或结构化的第二模具工具在所述第一模具结构(2)上方通过对第二模具材料进行晶片级模制来形成第二模具结构(2),使得所述第二模具结构(3)至少部分地包围所述第一模具结构(2),其中所述第二模具材料被施加到所述第二模具工具以形成所述第二模具结构(3)并且在所述第一模具结构(21)的顶表面处或附近留下孔径(30)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AMS有限公司,未经AMS有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680043242.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:方向盘的位置调节装置
- 下一篇:蒸发气体再液化装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的