[发明专利]包含极性基质和金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料

摘要

本发明涉及一种半导体材料，其包含(i)基本上元素形式的正电性元素，其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属，和(ii)至少一种第一化合物，其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物；制造所述半导体材料的方法；包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。

主权项

一种半导体材料，其包含(i)基本上元素形式的正电性元素，其选自碱金属、碱土金属、稀土金属，和质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的周期表第四周期的过渡金属，和(ii)至少一种第一化合物，其是包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物，其中所述第一化合物是基本上共价的化合物，其不含离域电子的共轭体系，或者包含具有少于10个共轭离域电子的离域电子共轭体系，并且如果通过循环伏安法在相同条件下测量，则所述第一化合物的还原电位值比关于三(2‑苯并[d]噻唑‑2‑基)苯氧基铝所获得的值负性更大，优选比9,9',10,10'‑四苯基‑2,2'‑联蒽或2,9‑二([1,1'‑联苯]‑4‑基)‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉负性更大，更优选比2,4,7,9‑四苯基‑1,10‑菲咯啉负性更大，甚至更优选比9,10‑二(萘‑2‑基)‑2‑苯基蒽负性更大，甚至更优选比2,9‑双(2‑甲氧基苯基)‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉负性更大，甚至更优选比9,9'‑螺二[芴]‑2,7‑二基双(二苯基氧化膦)负性更大，甚至更优选比4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉负性更大，甚至更优选比1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯负性更大，最优选比芘负性更大并且仍然优选比关于[1,1'‑联萘]‑2,2'‑二基双(二苯基氧化膦)所获得的值负性更大。