[发明专利]密封膜形成装置和密封膜形成方法有效
申请号: | 201680043453.X | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN107849693B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 山下雅充;中北和德;山本清人 | 申请(专利权)人: | 东丽工程株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;B05D3/00;B05D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;崔立宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供密封膜形成装置和密封膜形成方法,能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。具体而言,该密封膜形成装置具备:第一减压腔室4,其对基材W进行容纳;覆盖膜形成部2,其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至第一减压腔室4内所容纳的基材W而形成覆盖膜93;第二减压腔室5,其对基材W进行容纳;被减压的减压输送路6,其是基材W从第一减压腔室4到第二减压腔室5的输送路径;以及密封膜形成部3,其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在第二减压腔室5内所容纳的基材W上的覆盖膜93而形成密封膜90。 | ||
搜索关键词: | 密封 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种密封膜形成装置,其特征在于,该密封膜形成装置具备:第一减压腔室,其容纳基材;覆盖膜形成部,其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至所述第一减压腔室内所容纳的基材而形成覆盖膜;第二减压腔室,其容纳基材;被减压的减压输送路,其是基材从所述第一减压腔室到所述第二减压腔室的输送路径;和密封膜形成部,其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在所述第二减压腔室内所容纳的基材上的所述覆盖膜而形成密封膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的