[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201680043577.8 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107851669A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 大类贵俊 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 权鲜枝,侯剑英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(101)具备氧化物半导体层(5)，其支撑于基板(1)，具有彼此相对的第1主面和第2主面；以及第1绝缘层(9)，其以与氧化物半导体层(5)的第1主面接触的方式配置，氧化物半导体层(5)具有包括实质上不含卤族元素的主层(50)和配置在主层(50)与第1绝缘层(9)之间的含有卤族元素的第1含卤族元素氧化物半导体层(51)的层叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；氧化物半导体层，其支撑于上述基板，具有彼此相对的第1主面和第2主面；以及第1绝缘层，其以与上述氧化物半导体层的上述第1主面接触的方式配置，上述氧化物半导体层具有层叠结构，上述层叠结构包括：实质上不含卤族元素的主层；以及第1含卤族元素氧化物半导体层，其配置在上述主层与上述第1绝缘层之间，含有卤族元素。
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