[发明专利]硅基板用分析装置

摘要

本发明提供一种能够借由ICP‑MS将在成膜形成有膜厚较厚的氮化膜或氧化膜的硅基板中的微量金属等的杂质高精确度地分析的硅基板用分析装置。本发明的硅基板用分析装置具备承载端口、基板搬运机器人、对准器、干燥室、气相分解处理室、具有分析载物台及基板分析用喷嘴的分析扫描端口、分析液采集装置、进行感应耦合等离子分析的分析装置，其中，对于成膜形成有氮化膜或氧化膜的硅基板，借由基板分析用喷嘴以高浓度回收液扫净硅基板表面而回收，将回收后的高浓度回收液吐出至硅基板表面后，进行加热干燥，以分析液扫净硅基板表面而回收，借由ICP‑MS对分析液进行分析。

主权项

1.一种硅基板用分析装置，其具备：承载端口，其用于设置收纳盒，所述收纳盒收纳有分析对象的硅基板；基板搬运机器人，其能够将收纳在承载端口的硅基板取出、搬运及设置；对准器，其调整硅基板的位置；干燥室，其使硅基板加热干燥；气相分解处理室，其用以借由蚀刻气体将硅基板蚀刻；分析扫描端口，其具有载置硅基板的分析载物台、及以分析液扫净载置在分析载物台的硅基板表面且将使分析对象物迁移后的分析液回收的基板分析用喷嘴；分析液采集装置，其具有将被基板分析用喷嘴回收后的分析液投入的分析容器；以及喷雾器，其对投入分析容器后的分析液进行吸引；分析装置，其对从喷雾器所供应的分析液进行感应耦合等离子分析；其中，所述分析液是2％至4％体积浓度的氟化氢及2％至30％体积浓度的过氧化氢的混合液，硅基板成膜形成有氧化膜和/或氮化膜，借由基板搬运机器人从承载端口将所述硅基板取出，并将所述硅基板搬运至气相分解处理室而设置在所述气相分解处理室内，且在所述气相分解处理室中借由蚀刻气体对所述硅基板进行气相分解处理，将气相分解处理后的硅基板搬运、载置至分析扫描端口的分析载物台，借由基板分析用喷嘴，以高浓度回收液，扫净所述硅基板表面并回收，将回收后的高浓度回收液吐出至硅基板表面，其中所述高浓度回收液是10％至30％体积浓度的氟化氢与1％至30％体积浓度的过氧化氢的混合液，然后，将吐有高浓度回收液的硅基板搬运、载置至干燥室且进行加热干燥，将加热干燥后的硅基板搬运、载置至分析扫描端口的分析载物台，借由基板分析用喷嘴，以分析液扫净所述硅基板表面，对使分析对象物迁移后的分析液进行感应耦合等离子分析。