[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号： | 201680044815.7 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107924833B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 园田和广;小风丰;深谷亮介;中野贤明 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其具备如下工序：通过将氢气与添加气体混合而生成混合气体；由所述混合气体或所述混合气体与稀有气体的组合气体生成等离子；以及将形成于基板上的氧化膜通过所述等离子还原；所述添加气体包含氮原子及氧原子的至少一方，生成所述混合气体的工序包括如下工序：将所述添加气体和所述氢气混合为所述添加气体的流量与所述氢气的流量之比的流量比为1/500以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
