[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质有效
| 申请号： | 201680044904.1 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107851597B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 上村大义;伊藤刚;谷山智志 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于缩短搬送室内的氧浓度的降低时间。本发明的基板处理装置具有：搬送室，其从收容基板的收纳容器搬送上述基板；净化气体供给机构，其对搬送室内供给净化气体；以及压力控制机构，其设置于排放搬送室内的环境气体的排气路，并控制搬送室内的压力，压力控制机构具有：排气挡板，其使排气路全开或全闭；以及调整挡板，其设置在排气挡板内，且将搬送室内保持为预定的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，具备：搬送室，其从收容基板的收纳容器搬送上述基板；净化气体供给机构，其向上述搬送室内供给净化气体；以及压力控制机构，其设置于排放上述搬送室内的环境气体的排气路，并控制上述搬送室内的压力，上述压力控制机构具有：排气挡板，其使上述排气路全开或全闭；以及调整挡板，其设置在上述排气挡板内，并将上述搬送室内保持为预定的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
