[发明专利]气相蚀刻系统和方法

摘要

本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法和系统。所述方法包括：接纳具有露出待被至少部分地去除的目标层的表面的工件；将所述工件放置在干式非等离子体蚀刻室中的工件保持器上；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括操作干式非等离子体蚀刻室以执行以下步骤：将工件的表面暴露于在35℃至100℃范围内的第一设定点温度下的化学环境以化学改变目标层的表面区域，然后，将工件的温度升高至等于或高于100℃的第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。

主权项

一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法，包括：接纳具有露出待被至少部分地去除的目标层的表面的工件；将所述工件放置在单室干式非等离子体蚀刻系统中的工件保持器上；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分，包括通过操作所述单室干式非等离子体蚀刻系统以执行以下步骤：将所述工件的所述表面暴露于在35℃至100℃范围内的第一设定点温度下的化学环境以化学改变所述目标层的表面区域，以及然后，将所述工件的温度升高至等于或高于100℃的第二设定点温度以去除所述目标层的经化学处理的表面区域。