[发明专利]具有含硅减反射涂层或硅氧氮化物相对于不同膜或掩模的可控蚀刻选择性的气相蚀刻有效
| 申请号： | 201680045009.1 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107924816B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 苏巴迪普·卡尔;尼哈尔·莫汉蒂;安热利克·雷利;艾兰·莫斯登;斯克特·莱费夫雷 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境，以化学改变目标层的表面区域，以及然后，将工件的温度升高至第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 含硅减 反射 涂层 氮化物 相对于 不同 可控 蚀刻 选择性 | ||
【主权项】：
一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法，包括：接纳具有露出由硅和以下中任一者构成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；或(2)氧和氮两者；以及通过执行以下步骤从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分：将所述工件的所述表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境以化学改变所述目标层的表面区域，以及然后，将所述工件的温度升高至第二设定点温度以去除所述目标层的经化学处理的表面区域。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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