[发明专利]光学传感器在审

专利信息
申请号: 201680045171.3 申请日: 2016-05-31
公开(公告)号: CN108352392A 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: Y·尼 申请(专利权)人: 新成像技术公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华;何月华
地址: 法国弗尔里*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种光学传感器,该光学传感器包括:一个或多个电荷转移像素(10),每个电荷转移像素包括在照明时生成光电荷的掩埋式光电二极管(11);转换元件(12),该转换元件接收所述光电荷的至少一部分且趋向于将满足与光电荷的生成强度的非线性关系的电势强加于光电二极管上;以及电荷转移元件(14),该电荷转移元件用于读取由光电二极管(11)存储的电荷,从而通过转移,在读取之后,在该光电二极管中剩余的电荷为零。
搜索关键词: 光电二极管 光学传感器 光电荷 电荷转移元件 读取 电荷转移 转换元件 电荷 像素 非线性关系 掩埋式 电势 存储
【主权项】:
1.一种光学传感器,所述光学传感器包括:一个或多个电荷转移像素(10),每个电荷转移像素(10)包括在照明下生成光电荷的掩埋式光电二极管;转换元件(12),所述转换元件具有取决于应用于所述转换元件(12)的至少一个控制信号的非线性传导性、接收所述光电荷中的至少一些光电荷、以及倾向于将遵守与生成所述光电荷的强度的非线性关系的电势施加于所述光电二极管上,从而所述非线性关系在低亮度级下对应于线性增长、然后在更高亮度级下对应于对数增长;以及电荷转移元件(14),所述电荷转移元件用于读取存储在所述光电二极管中的所述电荷,从而在通过转移读出之后,在所述光电二极管中剩余的所述电荷为零。
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