[发明专利]光学传感器在审
申请号: | 201680045171.3 | 申请日: | 2016-05-31 |
公开(公告)号: | CN108352392A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | Y·尼 | 申请(专利权)人: | 新成像技术公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 法国弗尔里*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种光学传感器,该光学传感器包括:一个或多个电荷转移像素(10),每个电荷转移像素包括在照明时生成光电荷的掩埋式光电二极管(11);转换元件(12),该转换元件接收所述光电荷的至少一部分且趋向于将满足与光电荷的生成强度的非线性关系的电势强加于光电二极管上;以及电荷转移元件(14),该电荷转移元件用于读取由光电二极管(11)存储的电荷,从而通过转移,在读取之后,在该光电二极管中剩余的电荷为零。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 光学传感器 光电荷 电荷转移元件 读取 电荷转移 转换元件 电荷 像素 非线性关系 掩埋式 电势 存储 | ||
【主权项】:
1.一种光学传感器,所述光学传感器包括:一个或多个电荷转移像素(10),每个电荷转移像素(10)包括在照明下生成光电荷的掩埋式光电二极管;转换元件(12),所述转换元件具有取决于应用于所述转换元件(12)的至少一个控制信号的非线性传导性、接收所述光电荷中的至少一些光电荷、以及倾向于将遵守与生成所述光电荷的强度的非线性关系的电势施加于所述光电二极管上,从而所述非线性关系在低亮度级下对应于线性增长、然后在更高亮度级下对应于对数增长;以及电荷转移元件(14),所述电荷转移元件用于读取存储在所述光电二极管中的所述电荷,从而在通过转移读出之后,在所述光电二极管中剩余的所述电荷为零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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