[发明专利]固体摄像器件、电子设备以及固体摄像器件的制造方法有效
| 申请号： | 201680045598.3 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107924929B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 井上晋;寄门雄飞;户田淳 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/10;H01L31/107;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及：能够防止雪崩光电二极管的光接收灵敏度降低的固体摄像器件；电子设备；以及固体摄像器件的制造方法。这个固体摄像器件设置有：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和雪崩区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述雪崩区域夹在所述第一区域与所述第二区域之间，且所述第一区域、所述第二区域和所述雪崩区域沿半导体基板的厚度方向延伸；以及膜，所述膜被形成在所述半导体基板的至少一侧上，且所述膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜、或金属氧化物膜和金属氮化物膜的混合晶体系膜。例如，本技术可以被应用到CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 器件 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固体摄像器件，其包括：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管具有第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和雪崩区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述雪崩区域夹在所述第一区域与所述第二区域之间，且所述第一区域、所述第二区域和所述雪崩区域沿半导体基板的厚度方向延伸；以及膜，所述膜被形成在所述半导体基板的至少一侧上，且所述膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜、或金属氧化物膜和金属氮化物膜的混合晶体系膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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