[发明专利]衬底接触蚀刻工艺有效
| 申请号： | 201680045942.9 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107851577B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | D·W·哈曼;T·E·里里伯瑞治;A·阿里 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的示例中，具有深沟槽(112)的半导体器件(100)具有形成在深沟槽(112)的侧壁(122)和底部(124)上的介电衬垫(120)。两步工艺法的预蚀刻淀积步骤在半导体器件(100)的现有顶表面上以及在接近衬底(102)的顶表面(106)的介电衬垫(120)上形成保护性聚合物(136)。预蚀刻淀积步骤没有从深沟槽(112)的底部(124)移除大量的介电衬垫(120)。两步工艺法的主蚀刻步骤在深沟槽(112)的顶部处保持保护性聚合物(136)的同时，移除在深沟槽(112)的底部(124)处的介电衬垫(120)。随后移除保护性聚合物(136)。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 接触 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，其包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成至少10微米深并且0.5微米至3微米宽的深沟槽；在所述深沟槽的侧壁和底部上形成介电衬垫；通过预蚀刻淀积等离子体工艺在所述衬底的顶部的上方形成保护性聚合物，所述保护性聚合物延伸到接近所述衬底的顶表面的所述深沟槽中的所述介电衬垫上、而不在所述深沟槽的所述底部处的所述介电衬垫上，同时基本没有从所述介电衬垫中移除介电材料；通过主蚀刻等离子体工艺移除在所述深沟槽的所述底部处的所述介电衬垫，同时不从接近所述衬底的所述顶表面的所述深沟槽中的所述介电衬垫上的所述保护性聚合物中移除聚合物材料并且不从接近所述衬底的所述顶表面的所述深沟槽中的所述介电衬垫中移除介电材料；以及随后移除所述保护性聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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