[发明专利]集成电路起爆器设备有效
| 申请号： | 201680046136.3 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107923728B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | J·H·G·斯科尔特斯;W·C·普林塞;M·J·范·德·兰斯 | 申请（专利权）人： | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13;F42B3/198;F42C19/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 郭艳芳;王琦 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明的一个方面中，提供了一种集成电路起爆器设备，包括：提供有电绝缘层的电路基底；沉积在绝缘层上的导电桥接电路；所述桥接电路被图案化为接触区域和连接接触区域的桥接结构，所述桥接结构被布置用于在桥接结构被与接触区域接触的起爆器电路熔断时形成等离子体；以及旋涂在桥接结构上的聚合物层，用于形成被推动远离基底的飞片。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 起爆 设备 | ||
【主权项】：
一种集成电路起爆器设备，包括：‑提供有电绝缘层的电路基底；‑沉积在所述绝缘层上的导电桥接电路；‑所述桥接电路被图案化为接触区域以及连接所述接触区域的桥接结构，所述桥接结构被布置用于在所述桥接结构被与所述接触区域接触的起爆器电路熔断时形成等离子体；‑旋涂在所述桥接结构上的聚合物层，用于形成通过所形成的等离子体被推动远离所述基底的飞片，其中所述桥接电路图案在掺杂硅层中被图案化，所述掺杂硅层外延沉积在所述电绝缘层上，其中所述掺杂硅层包括来自III族元素的掺杂剂，并且其中所述桥接电路图案具有小于2*10^‑5欧姆米的欧姆电阻。
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