[发明专利]处理衬底的装置与系统及蚀刻衬底的方法

摘要

一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。

主权项

一种处理衬底的装置，其包括：反应气体源，其具有安置在处理腔室中的反应气体出口，所述反应气体出口将第一反应气体引导到所述衬底；等离子体腔室，其包含具有沿着第一方向延伸的提取孔隙的提取板；以及衬底平台，其经配置以固持所述衬底，安置在所述处理腔室内以及可在面向所述反应气体源的第一位置与面向所述提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于所述第一方向的第二方向移动；以及气流限制器，其安置于所述反应气体出口与所述提取孔隙之间，所述气流限制器界定至少所述等离子体腔室与所述衬底平台之间的差动泵浦通道。