[发明专利]具有到多个有源层中的选择性载流子注入的发光结构有效
| 申请号： | 201680046374.4 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107851968B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | H.S.埃尔-戈劳里;M.V.基辛;Y-C.M.叶;庄奇理;J-C.陈 | 申请（专利权）人： | 奥斯坦多科技公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/42;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所公开的是用于并入了中间载流子阻挡层的半导体发光器件（LED）的多层光学有源区域，所述中间载流子阻挡层具有针对组分和掺杂水平的设计参数，其被选择以提供在有源区域上对载流子注入分布的有效控制以实现期望的器件注入特性。本文所讨论的实施例的示例尤其包括：具有RGB色域的全覆盖范围的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED；具有超出标准RGB色域的扩展颜色色域的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED，具有可变色温的多量子阱发射白光LED和具有均匀填充的有源层的多量子阱LED。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 到多个 有源 中的 选择性 载流子 注入 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种多层半导体发光结构，包括：第一量子限制结构；具有第一预定带隙和带偏移的第一中间载流子阻挡层；和第二量子限制结构，其中将所述第一中间载流子阻挡层设置在所述第一量子限制结构与所述第二量子限制结构之间。
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