[发明专利]包括纳米膜的装置和相关方法有效
| 申请号： | 201680046827.3 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107923868B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | S·M·哈克;S·博里尼 | 申请（专利权）人： | 诺基亚技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;H01L29/778;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/772;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/12;B82Y10/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置，包括沟道构件(401)、第一电极和第二电极(403、404)、以及支撑衬底(402)，该第一电极和第二电极被配置为使电流能够从第一电极通过沟道构件流到第二电极，该支撑衬底被配置为支撑沟道构件以及第一电极和第二电极，其中沟道构件通过纳米膜(411)而与支撑衬底分离，该纳米膜被配置为通过抑制沟道构件与支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过沟道构件。可能地，在衬底与纳米膜之间存在导电屏蔽层(412)，该层也可以是纳米膜。所述装置还可以包括栅电极(406)和栅极电介质(407)，所述栅极电介质也可能是纳米膜。如图5所示，该装置可以被配置为感测分析物物质(513)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 纳米 装置 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括沟道构件、第一电极和第二电极、以及支撑衬底，所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极，所述支撑衬底被配置为支撑所述沟道构件以及所述第一电极和第二电极，其中所述沟道构件通过纳米膜而与所述支撑衬底分离，所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件。
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