[发明专利]氧化物超导体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680047826.0 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN107922208B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 林真理子;荒木猛司;福家浩之;小林奈央 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01B12/06 分类号: H01B12/06;H01B13/00;C01G1/00;C01G3/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 温剑;董庆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层,该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳,所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构,钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨,相对于至少1种稀土类元素与镨的总量,镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。
搜索关键词: 氧化物 超导体 及其 制造 方法
【主权项】:
1.氧化物超导体,其具备氧化物超导层,该氧化物超导层含有:单晶,该单晶具有含有选自钇(Y)、镧(La)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镥(Lu)中的至少1种稀土类元素、钡(Ba)、以及铜(Cu)的连续的钙钛矿结构,所述钙钛矿结构的稀土类元素的位点的一部分中含有镨(Pr),相对于所述至少1种稀土类元素与镨的总量,镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下;2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟;以及1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳。
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