[发明专利]氧化物超导体及其制造方法有效
申请号: | 201680047826.0 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN107922208B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 林真理子;荒木猛司;福家浩之;小林奈央 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;H01B13/00;C01G1/00;C01G3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 温剑;董庆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层,该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳,所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构,钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨,相对于至少1种稀土类元素与镨的总量,镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 超导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.氧化物超导体,其具备氧化物超导层,该氧化物超导层含有:单晶,该单晶具有含有选自钇(Y)、镧(La)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镥(Lu)中的至少1种稀土类元素、钡(Ba)、以及铜(Cu)的连续的钙钛矿结构,所述钙钛矿结构的稀土类元素的位点的一部分中含有镨(Pr),相对于所述至少1种稀土类元素与镨的总量,镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下;2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟;以及1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680047826.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种单相电线分时电流检测装置
- 下一篇:一种电流检测系统