[发明专利]利用等离子体蚀刻的防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板有效
| 申请号： | 201680047856.1 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107949901B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 金炫中;金洪徹;金正来;崔炳景;王弘来;权雅贤;申东贤;李圣徒;罗钟周;权正大 | 申请（专利权）人： | 株式会社世可 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/56;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板，将通过反复控制等离子体干式蚀刻和无机物的沉积而形成的防反射结构层控制为各种结构，从而能够提高耐久性并确保优异的透光性及防反射效果，并且具有易清洁、耐污染性、耐划伤性等功能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 蚀刻 反射 表面 制造 方法 形成 | ||
【主权项】：
一种利用等离子体蚀刻的防反射表面的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：i)利用等离子体干式蚀刻在基材的一面形成凹凸部；ii)通过沉积无机物粒子在所述凹凸部上形成能够防止光反射的防反射结构体，从而在基材的一面形成防反射层；及iii)单独执行一次或者多次所述步骤i)或者步骤ii)，在所述步骤i)中，等离子体干式蚀刻在5*10‑3至5*10‑2torr的初期压力条件下开始，在5*10‑2至5*10‑1torr的工艺压力条件下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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