[发明专利]光检测器

摘要

本发明提供一种降低暗电流而不会有损光电流的锗光检测器。具备：硅基板、形成于硅基板上的下部包层、形成于下部包层上的芯层、形成于芯层的一部分的掺杂了p型杂质离子的p型硅板、高浓度地掺杂了p型杂质并起到作为电极的作用的p++硅电极部、以及吸收光的锗层。还具备：上部包层、锗层的上部的掺杂了n型杂质的n型锗区域、以及电极。本发明在p型硅板上具备两个锗层，由此，能通过使各锗层的与p型硅板相接的面积小型化，来削弱由穿透位错导致的暗电流。

主权项

一种光检测器，其特征在于，具备：硅基板；下部包层，形成于所述硅基板上；芯层，形成于所述下部包层上，包含掺杂了p型杂质离子的p型硅板；锗层，形成于所述p型硅板上，包含掺杂了n型杂质的n型锗区域；上部包层，形成于所述芯层以及所述锗层上；以及电极，分别与所述p型硅板以及所述n型硅区域连接，所述锗层具有多个与所述p型硅板相接的面。