[发明专利]用作有机发光二极管(OLED)的HIL的金属氨基化物

摘要

本发明涉及通式Ia的金属氨基化物及其用作有机发光二极管(OLED)的空穴注入层(HIL)的用途，和制造包含有含通式Ia的金属氨基化物的空穴注入层的有机发光二极管(OLED)的方法。

主权项

一种用于OLED的空穴注入层，所述空穴注入层包含电荷中性的金属氨基化物化合物，其特征在于所述电荷中性的金属氨基化物化合物由式Ia表示：其中：G＝卤素、O、式IIa至IIe的烷氧基化物或胺：R1至R5独立地选自：H、C1至C20烷基、C1至C20杂烷基、未经取代或经C1至C12取代的C6至C20芳基、未经取代或经C1至C12取代的具有5至20个成环原子的杂芳基、卤代或全卤代的C1至C20烷基、卤代或全卤代的C1至C20杂烷基、卤代或全卤代的C6至C20芳基、具有5至20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基；或至少一组R1和R4和/或R2和R3和/或R1和R5桥接并形成5至20元环；m＝0、1、2、3或4；M＝选自以下的金属：碱金属、碱土金属、Al、Ga、In、过渡金属或稀土金属；其中N与金属M之间的键是共价键或N与金属M形成非共价相互作用；L＝与金属M配位的电荷中性配体，选自：H2O、C2至C40单齿或多齿醚和C2至C40硫醚、C2至C40胺、C2至C40膦、C2至C20烷基腈或C2至C40芳基腈，或式(III)化合物；其中R6和R7独立地选自C1至C20烷基、C1至C20杂烷基、C6至C20芳基、具有5至20个成环原子的杂芳基、卤代或全卤代的C1至C20烷基、卤代或全卤代的C1至C20杂烷基、卤代或全卤代的C6至C20芳基、具有5至20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基，或至少一组R6和R7桥接并形成5至20元环，或两个R6和/或两个R7桥接并形成5至40元环或形成包含未经取代或经C1至C12取代的菲咯啉的5至40元环；p＝0、1、2或3；A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR8；R8＝选自以下的吸电子基团：卤素、腈、卤代或全卤代的C1至C20烷基、卤代或全卤代的C6至C20芳基或具有5至20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基；n＝1、2、3、4或5；B1、B2、B3和B4相同或独立地选自经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C6至C20芳基、经取代或未经取代的C5至C20杂芳基，或B1和B2桥接；其中B1和B2桥接，那么：‑M、N、A1、B1、B2、A2和N形成式Ib的7至10元环：或‑N、A1、B1、B2和A2形成式Ic的5至10元环：或‑N、A1、B1、B2和A2形成第一个5至10元环，且B1和B2形成第二个5至20元环，如式Id所示：