[发明专利]含水铜镀浴和用于将铜或铜合金沉积到基底上的方法

摘要

本发明涉及双脲衍生物及其在印刷电路板、IC基底、用于电子应用的半导体和玻璃器件的制造中在用于铜和铜合金沉积的含水镀浴中的用途。本发明的镀浴包含至少一种铜离子源和双脲衍生物。该镀浴对于用铜填充凹陷结构和柱状凸起结构的构建特别有用。

主权项

用于电解沉积铜或铜合金的含水铜镀浴，所述含水铜镀浴包含至少一种铜离子源和至少一种酸，其特征在于所述含水铜镀浴包含至少一种双脲衍生物，所述双脲衍生物包含根据式(I)的双脲结构单元其中A表示来自下式(A1)的二脲化合物的单元其中X1和X2是二价残基，所述二价残基彼此独立地选自其中R1和R2是单价残基，所述单价残基各自独立地选自氢、烷基和聚氧化烯；Y选自CH2、O和S；c是范围为1至6的整数；c’是范围为1至6的整数；b是范围为1至5的整数；b’是范围为1至5的整数；Z是选自亚烷基、亚芳基和烯化氧化合物的二价桥连部分，其中所述烯化氧化合物由下式表示‑(CH2)d‑[CH(R3)‑CH2‑O]e‑(CH2)f‑(CH(CH3))f’‑，其中d是范围为0至3的整数；e是范围为1至100的整数；以及f是范围为1至3的整数；f’是0或1；每个R3彼此独立地选自烷基、芳基和氢；a是整数并且范围为1至100；以及D是二价残基并且选自‑CH2‑CH(OH)‑CH2‑、‑CH2‑CH(SH)‑CH2‑、‑(CH2)g‑[CH(R4)‑CH2‑O]h‑(CH2)i‑和‑CH2‑CH(OH)‑(CH2)j‑[CH(R5)‑CH2‑O]k‑(CH2)l‑CH(OH)‑CH2‑其中g是范围为0至4的整数；h是范围为1至100的整数；i是范围为1至4的整数；每个R4彼此独立地选自烷基、芳基和氢；j是范围为1至4的整数；k是范围为1至100的整数；l是范围为1至4的整数；每个R5彼此独立地选自烷基、芳基和氢；并且如果a是2或更大，则彼此独立地选择每个A和每个D，并且其中所述含水铜镀浴不含(有意添加的)锌离子。