[发明专利]低温固化组合物、固化膜以及电子装置有效

专利信息
申请号: 201680049195.6 申请日: 2016-08-01
公开(公告)号: CN107922620B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 宋斗理;金佑翰;申东珠;柳鸿桢;李知虎 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: C08G77/04 分类号: C08G77/04;C08G59/30;C08L83/04;C08L63/00;C09D183/04;C09D163/00;H01L51/50
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李艳;臧建明
地址: 韩国京畿道龙仁*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种低温固化组合物、一种通过对所述组合物进行固化而获得的固化膜、以及一种包括所述固化膜的电子装置,所述组合物包含:(A)由以下化学式1表示的含环氧基的硅氧烷化合物:[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D1(R6SiO3/2)T1(R7R8SiO2/2)D2(R9SiO3/2)T2在化学式1中,R1到R9、M、D1、T1、D2及T2与在本发明的以下详细说明中所定义的相同;以及(B)用于环氧化物的开环反应的阳离子热引发剂,引发剂为锍系阳离子与硼酸根系阴离子的盐,其中由化学式1表示的化合物为数量平均分子量介于100到1,000范围内的硅氧烷化合物与数量平均分子量介于1,000到10,000范围内的硅氧烷化合物的组合。
搜索关键词: 低温 固化 组合 以及 电子 装置
【主权项】:
一种低温固化组合物,包含(A)由化学式1表示的含环氧基的硅氧烷化合物:[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D1(R6SiO3/2)T1(R7R8SiO2/2)D2(R9SiO3/2)T2(在化学式1中,R1到R9中的每一者独立地为独立地选自经取代或未经取代的C1到C6单价脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C20单价脂环族烃基、经取代或未经取代的C6到C20单价芳香族烃基、及经环氧基取代的单价有机基的有机基,R1到R6中的至少一者为经环氧基取代的单价有机基,0≤M<1,0≤D1<1,0<T1≤1,0≤D2<1,0≤T2<1,M+D1+T1+D2+T2=1,其中由M、D1、T1、D2及T2表示的结构单元中的每一者包括一种或多种类型的不同的结构单元);以及(B)用于环氧化物的开环反应的阳离子热引发剂,所述引发剂为锍系阳离子与硼酸根系阴离子的盐,其中所述由化学式1表示的化合物为数量平均分子量介于100到1,000范围内的硅氧烷化合物与数量平均分子量介于1,000到10,000范围内的硅氧烷化合物的组合。
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