[发明专利]采用共享源极线的互补磁性隧道结MTJ位单元及相关方法有效

专利信息
申请号: 201680049252.0 申请日: 2016-08-10
公开(公告)号: CN107924695B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 李夏;鲁宇;朱小春 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;H01L27/22
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张昊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了采用共享源极线的互补MTJ位单元。在一个方面中,提供了采用共享源极线的2T2MTJ互补位单元。位单元包括第一MTJ和第二MTJ。第一MTJ的值是第二MTJ的值的补数。第一位线耦合至第一MTJ的顶层,并且第一存取晶体管的第一电极耦合至第一MTJ的底层。第二位线耦合至第二MTJ的底层,并且第二存取晶体管的第一电极耦合至第二MTJ的顶层。第一和第二MTJ中的每个顶层都包括自由层,并且第一和第二MTJ的每个底层都包括钉扎层,或者第一和第二MTJ的每个顶层都包括钉扎层,并且第一和第二MTJ的每个底层都包括自由层。字线耦合至第一存取晶体管和第二存取晶体管的第二电极。共享源极线耦合至第一存取晶体管和第二存取晶体管的第三电极。采用共享源极线允许位单元被设计为具有减小的寄生电阻。
搜索关键词: 采用 共享 源极线 互补 磁性 隧道 mtj 单元 相关 方法
【主权项】:
一种反向互补磁性隧道结(MTJ)位单元,包括:第一MTJ;第二MTJ;第一存取晶体管的第一电极,耦合至所述第一MTJ的底层;第二存取晶体管的第一电极,耦合至所述第二MTJ的顶层;字线,耦合至所述第一存取晶体管的第二电极和所述第二存取晶体管的第二电极;第一位线,耦合至所述第一MTJ的顶层;第二位线,耦合至所述第二MTJ的底层;以及共享源极线,耦合至所述第一存取晶体管的第三电极和所述第二存取晶体管的第三电极。
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