[发明专利]阵列基板制造方法在审
申请号: | 201680049260.5 | 申请日: | 2016-12-24 |
公开(公告)号: | CN108140646A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 何家伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种阵列基板制造方法,包括提供一形成有显示区及走线区的基板;其中显示区形成有源极及漏极,走线区形成有外围桥接金属线;在显示区的源极及漏极及走线区形的外围桥接金属线上形成绝缘层及层叠于绝缘层的光阻层;通过半色调掩膜图案化光阻层,在光阻层上形成位于显示区的第一过孔定义区及位于走线区的第二孔定义区;其中第一过孔定义区到绝缘层的厚度大于第二过孔定义区到绝缘层的厚度;蚀刻第一过孔定义区及第二孔定义区,以形成于源极或漏极连接的第一过孔及与外围桥接金属线连接的第二过孔;去除光阻层。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 光阻层 显示区 走线区 桥接金属线 漏极 源极 阵列基板 外围 蚀刻 掩膜图案 半色调 基板 去除 制造 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括提供一形成有显示区及走线区的基板;其中显示区形成有源极及漏极,所述走线区形成有外围桥接金属线;在所述显示区的源极及漏极及所述走线区形的外围桥接金属线上形成绝缘层及层叠于所述绝缘层的光阻层;通过半色调掩膜图案化所述光阻层,在所述光阻层上形成位于所述显示区的第一过孔定义区及位于所述走线区的第二孔定义区;其中第一过孔定义区到所述绝缘层的厚度大于所述第二过孔定义区到所述绝缘层的厚度;蚀刻所述第一过孔定义区及第二孔定义区,以形成于所述源极或漏极连接的第一过孔及与所述外围桥接金属线连接的第二过孔;去除光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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