[发明专利]阵列基板制造方法在审

专利信息
申请号: 201680049260.5 申请日: 2016-12-24
公开(公告)号: CN108140646A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 何家伟 申请(专利权)人: 深圳市柔宇科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518052 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种阵列基板制造方法,包括提供一形成有显示区及走线区的基板;其中显示区形成有源极及漏极,走线区形成有外围桥接金属线;在显示区的源极及漏极及走线区形的外围桥接金属线上形成绝缘层及层叠于绝缘层的光阻层;通过半色调掩膜图案化光阻层,在光阻层上形成位于显示区的第一过孔定义区及位于走线区的第二孔定义区;其中第一过孔定义区到绝缘层的厚度大于第二过孔定义区到绝缘层的厚度;蚀刻第一过孔定义区及第二孔定义区,以形成于源极或漏极连接的第一过孔及与外围桥接金属线连接的第二过孔;去除光阻层。
搜索关键词: 绝缘层 光阻层 显示区 走线区 桥接金属线 漏极 源极 阵列基板 外围 蚀刻 掩膜图案 半色调 基板 去除 制造
【主权项】:
一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括提供一形成有显示区及走线区的基板;其中显示区形成有源极及漏极,所述走线区形成有外围桥接金属线;在所述显示区的源极及漏极及所述走线区形的外围桥接金属线上形成绝缘层及层叠于所述绝缘层的光阻层;通过半色调掩膜图案化所述光阻层,在所述光阻层上形成位于所述显示区的第一过孔定义区及位于所述走线区的第二孔定义区;其中第一过孔定义区到所述绝缘层的厚度大于所述第二过孔定义区到所述绝缘层的厚度;蚀刻所述第一过孔定义区及第二孔定义区,以形成于所述源极或漏极连接的第一过孔及与所述外围桥接金属线连接的第二过孔;去除光阻层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技有限公司,未经深圳市柔宇科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680049260.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top