[发明专利]含有硅的平坦化性图案反转用被覆剂有效
| 申请号： | 201680049334.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN108055851B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 志垣修平;谷口博昭;中岛诚 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/38 | 分类号： | C08G77/38;C09D7/65;C09D183/04;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供高低差基板的平坦化用组合物。作为解决手段是一种在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含：由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷所具有的硅烷醇基的一部分被封端的改性聚硅氧烷、和溶剂，该改性聚硅氧烷中的硅烷醇基相对于全部Si原子的比例为40摩尔％以下。通过上述聚硅氧烷所具有的硅烷醇基与醇的反应来调整该比例。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成抗蚀剂膜的工序(1)；将抗蚀剂膜进行曝光接着进行显影而形成抗蚀剂图案的工序(2)；在显影中或显影后的抗蚀剂图案上涂布上述组合物的工序(3)；通过蚀刻来除去抗蚀剂图案而使图案反转的工序(4)。在工序(3)之后，包含将涂膜表面进行回蚀而露出抗蚀剂图案的表面的工序(3‑1)。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 平坦 化性 图案 转用 被覆 | ||
【主权项】：
1.一种在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含：由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷所具有的硅烷醇基的一部分被封端的改性聚硅氧烷、和溶剂，该改性聚硅氧烷中的硅烷醇基相对于全部Si原子的比例为40摩尔％以下。
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