[发明专利]光调制元件及电场传感器有效
| 申请号： | 201680049373.5 | 申请日： | 2016-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN107923932B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 品川满;朝日聪明 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社;品川满 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在能够通过具有产生电光效应的性质的化合物半导体单晶来调制入射的激光(L)的光调制元件中，在不降低化合物半导体的载体浓度的情况下防止低频带中的信号强度的衰减。光调制元件(23)具备：入射限制单元(25)，设于化合物半导体单晶(24)的能够供激光(L)入射的入射面(24a)或者其附近，限制激光(L)以外的光向入射面(24a)入射；及遮挡件(26)，由具有遮光性并且介电常数低的材料形成，并覆盖化合物半导体单晶(24)的沿着入射到该上述化合物半导体单晶(24)的上述激光(L)的行进方向延伸设置的面(24c)。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 元件 电场 传感器 | ||
【主权项】：
一种光调制元件，能够通过具有产生电光效应的性质的化合物半导体单晶对入射的激光进行调制，所述光调制元件的特征在于，具备：入射限制单元，设于所述化合物半导体单晶的能够供所述激光入射的入射面或者所述入射面附近，限制所述激光以外的光向入射面入射；及遮挡件，由具有遮光性并且介电常数低的材料形成，并覆盖所述化合物半导体单晶的沿着入射到该化合物半导体单晶的所述激光的行进方向延伸设置的面。
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