[发明专利]用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法

摘要

本发明涉及用于通过原子层沉积处理基材(1、101)的表面的设备以及用于操作该设备的方法。该设备包括沉积室(4)以及设置于一个或多个侧室(12、42、52、112)和该沉积室(4)之间的一个或多个导通连接部(13、15、16)。该一个或多个导通连接部(13、15、16)包括一个或多个导通室(18)和可操作地连接到该一个或多个导通室(18)的辅助压力装置(20)。

主权项

一种用于处理基材(1、101)的表面的设备，所述设备包括：‑沉积室(4)，在所述沉积室内，通过使至少第一前驱体和第二前驱体根据原子层沉积原理在所述基材(1、101)的所述表面上进行相继的表面反应来处理所述基材的所述表面，所述沉积室(4)具有沉积室壁(2)；‑一个或多个侧室(12、42、52、112)，所述一个或多个侧室连接到所述沉积室(4)；以及‑一个或多个导通连接部(13、15、16)，所述一个或多个导通连接部设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间并且设置为形成从所述一个或多个侧室(12、36、42、52、62、112)到所述沉积室(4)的内部的一个或多个导通部，以便在所述一个或多个侧室(12、42、52、112)和所述沉积室(4)之间输送所述基材(1、101)；其特征在于，所述一个或多个导通连接部(13、15、16)包括：一个或多个导通室(18)，所述一个或多个导通室(18)设置于所述一个或多个侧室(12、42、52、112)与所述沉积室(4)之间；以及辅助压力装置(20)，所述辅助压力装置(20)可操作地连接到所述一个或多个导通室(18)以便控制所述导通室(18)中的压力，所述设备还包括主压力装置(6)，所述主压力装置(6)可操作地连接到所述沉积室(4)以便控制所述沉积室(4)内的压力，所述主压力装置设置为提供所述沉积室(4)内的第一压力，并且所述辅助压力装置(20)设置为提供所述一个或多个导通室(18)内的第二压力，所述第二压力低于所述第一压力。