[发明专利]用于非晶硅衬底的均匀结晶的基于光纤激光器的系统

摘要

提供了一种用于通过部分熔融激光退火(LA)或连续横向固化(SLS)退火工艺来使非晶硅(a‑Si)面板结晶的系统。所述系统包括至少一个单横模(SM)准连续波(QCW)光纤激光源，其发射脉冲谐波光束；光束调节组件，其位于所述光纤激光源下游并被配置为变换谐波光束，使得所述谐波光束具有期望的发散和空间分布特性；光束速度和分布组件，其能够操作用于在物平面中以期望的扫描速度提供具有期望的强度分布的调节后的谐波光束；光束成像组件，用于以期望的缩小方式将物平面中的调节后的谐波光束沿至少一个光轴成像在像平面上，使得调节后的谐波光束的宽度减小到窄线宽；以及面板处理组件，其能够操作用于提供成像后的窄线宽光束与面板之间的相对位置和速度，以便在曝光时间内至少两次照射所述a‑Si面板的每个位置。

主权项

一种用于通过部分熔融激光退火(LA)或连续横向固化(SLS)退火工艺来使非晶硅(a‑Si)面板结晶的系统，包括：至少一个单横模(SM)准连续波(QCW)光纤激光源，沿着路径发射脉冲重复率至少为80MHz的脉冲谐波光束。光束调节组件，其位于所述光纤激光源下游并被配置为变换谐波光束，使得所述谐波光束具有期望的发散和空间分布特性；光束速度和分布组件，能够操作用于在物平面中以期望的扫描速度提供具有期望的强度分布的调节后的谐波光束；光束成像组件，用于以期望的缩小方式将物平面中的调节后的谐波光束沿至少一个光轴成像像平面上，使得调节后的谐波光束的宽度在像平面上减小到至少1μm的窄线宽；以及面板处理组件，能够操作用于提供成像后的窄线宽光束与面板之间的相对位置和速度，以便以每次至少100ns的曝光时间至少两次照射所述a‑Si面板的每个位置，以便提供a‑Si到具有最多为1μm的均匀晶粒尺寸的多晶硅(p‑Si)结构的变换。