[发明专利]具有增强型容纳的衬底容器有效
| 申请号： | 201680050060.1 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107924858B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | G·盖勒格;S·索姆纳 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可通过射出模制金属浆料而形成用于半导体制造工业中的衬底容器及/或其部分。更特定来说，可通过射出模制含有镁或镁合金的金属浆料而形成此类衬底容器及/或其部分。与相当的由基于聚合物的材料形成的衬底载体相比，其中衬底容器的至少一部分由含有镁或镁合金的金属浆料射出模制而成的所述衬底容器可展现对湿气及氧气的经改进渗透控制。示范性衬底容器可包含晶片容器、光罩盒、磁盘运送器及/或半成品盒。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 容纳 衬底 容器 | ||
【主权项】：
一种衬底容器，其包括：容器部分，所述容器部分具有前开口及针对所述前开口而定大小的门；所述容器部分包括金属壳体及用于固持300mm晶片及450mm晶片中的一者的一对晶片支撑件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
