[发明专利]多次可编程的非易失性存储器单元有效
| 申请号： | 201680050329.6 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107924703B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | F·K·奥米德-佐霍尔;N·D·比伊;B·莱 | 申请（专利权）人： | 美国莱迪思半导体公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性可编程位单元包括，具有与位线耦合的源极的读取使能器件，具有与第一写入线耦合的山脊的反熔丝器件，与电源电压耦合的漏极，以及与所述读取使能器件的漏极耦合的源极。位单元具有耦合在第二写入线和读取使能器件的漏极的熔丝器件。当使能读取使能器件用于读取时，在所述位线中流动的电流的幅度取决于(1)施加至第一写入线的电压电平和反熔丝器件状态以及(2)施加至得人写入线的电压电平和熔丝器件状态。应用包括在存储器阵列中，诸如用于FPGA配置存储器。位单元可以用作多次可编程元件，或用于存储多个位值。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种非易失性可编程存储器位单元，包括：读取使能器件，包括与位线耦合的源极；反熔丝器件，包括与第一写入线耦合的栅极、浮置的漏极以及与所述读取使能器件的漏极耦合的源极；以及熔丝器件，耦合在第二写入线与所述读取使能器件的所述漏极之间，其中所述非易失性可编程存储器位单元是通过熔断所述反熔丝器件而一次可编程的，并且是通过熔断所述熔丝器件而另一次可编程的。
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