[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680050777.6 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108352402B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 木下明将;原田信介;田中保宣 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在碳化硅半导体基体的第一主面侧形成有沟槽(16)，第二导电型的第二基极区(4)配置在与沟槽(16)沿深度方向对置的位置，第二导电型的第二基极区(4)的漏电极(13)侧端部和第二导电型的第一基极区(3)的漏电极(13)侧端部到达比第一导电型的区域(5)的漏电极(13)侧端部更深的位置。由此，能够通过缓和沟槽底部的栅绝缘膜的电场强度，抑制活性部的耐电压来使耐压构造部的耐电压设计变得容易。另外，能够通过简单的方法形成这样的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的宽带隙半导体基板，其由带隙比硅的带隙宽的半导体构成；第一导电型宽带隙半导体层，其形成在所述宽带隙半导体基板的正面，由带隙比硅的带隙宽的半导体构成，且杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低；第二导电型的第一基极区，其选择性地设置在所述第一导电型宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板侧的相反侧的表面层；第二导电型的第二基极区，其选择性地形成在所述第一导电型宽带隙半导体层的内部；第一导电型的区域，其选择性地形成在所述第一导电型宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板侧的相反侧的表面层，并且杂质浓度比所述第一导电型宽带隙半导体层的杂质浓度高；第二导电型宽带隙半导体层，其形成在所述第一导电型宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板的相反侧的表面，由带隙比硅的带隙宽的半导体构成；第一导电型的源极区，其选择性地形成在所述第二导电型宽带隙半导体层的内部；沟槽，其贯穿所述第二导电型宽带隙半导体层和所述源极区而到达所述第一导电型的区域；栅电极，其隔着栅绝缘膜形成在所述沟槽内部；源电极，其与所述第二导电型宽带隙半导体层和所述源极区接触；以及漏电极，其设置在所述宽带隙半导体基板的背面，所述第二基极区配置在与所述沟槽沿深度方向对置的位置，所述第一基极区的一部分向所述沟槽侧延伸并与所述第二基极区连接。
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