[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201680050847.8 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN107924931B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 铃木亮司;坂野赖人 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355;H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及可以提高晶体管元件侧上Si界面的面积效率的固态图像拾取装置,和电子设备。PD单元50具有形成为p型的Tr侧Si/SiO2界面,并且具有嵌入的PD。n型的PD执行光电转换,并且聚集电荷。TG将聚集在PD的电荷转移至FD。Amp连接至FD。RST连接至重置漏极(RD),并且重置FD。FDG是转换效率切换开关。FC是连接到FDG的MOS电容(栅电极)。SEL选择输出信号的像素。本公开可以应用于被用于图像拾取装置例如摄像机的CMOS固态图像拾取装置。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态图像拾取装置,其包括:光电二极管;和和形成在所述光电二极管上的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的