[发明专利]沟槽电容器和用于制造沟槽电容器的方法有效
| 申请号： | 201680050977.1 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107924954B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | S.施魏格;S.班茨哈夫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;杜荔南 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于制造沟槽电容器（2）的方法，所述方法具有如下步骤：提供衬底（200），所述衬底具有正面（201）和背面（202）；在所述衬底（200）的正面（201）上产生具有沟槽（210）的沟槽结构；在所述衬底（200）的背面（202）上施加结构（240）；在所述衬底（200）的正面（201）上并且在所述衬底（200）的沟槽（210）中沉积绝缘介电层（220）；将第一电极（230）施加到沉积在所述衬底（200）的正面（201）上并且沉积在沟槽结构（210）中的绝缘介电层（220）上；将第二电极（250）施加到所述衬底（200）的配备有所述结构（240）的背面（202）上，其中所述结构（240）具有缺口（245），使得所述第二电极（250）在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的背面（202），以及半导体‑沟槽‑电容器（2）。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 电容器 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造沟槽电容器（2）的方法，所述方法具有如下步骤：提供（120）衬底（200），所述衬底具有正面（201）和背面（202）；在所述衬底（200）的所述正面（201）上产生具有沟槽（210）的沟槽结构；在所述衬底（200）的所述正面（201）上并且在所述衬底（200）的所述沟槽（210）中沉积（140）绝缘介电层（220）；在所述衬底（200）的所述背面（202）上施加（150、160）结构（240）；将第一电极（230）施加（170）到沉积在所述衬底（200）的所述正面（201）上并且沉积在沟槽结构（210）中的绝缘介电层（220）上；将第二电极（250）施加到所述衬底（200）的配备有所述结构（240）的所述背面（202）上，其中所述结构（240）具有缺口（245），使得所述第二电极（250）在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的所述背面（202）。
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