[发明专利]固体摄像元件

摘要

固体摄像元件具备P型的基板(11)和布线层(17)，基板(11)具备N型半导体区域(12)，被配置于第1主面(S1)，从第1主面(S1)向第2主面(S2)的方向延伸；N型半导体区域(13)，被配置于第2主面(S2)与N型半导体区域(12)之间并与N型半导体区域(12)连接；P型半导体区域(14)，被配置于第2主面(S2)与像素(1)以及像素(2)的N型半导体区域(13)之间；N型阱(15)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(12)与像素(2)的N型半导体区域(12)之间且第1主面(S1)；像素电路，被配置于N型阱(15)内；和像素间分离区域(32)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(13)与像素(2)的N型半导体区域(13)之间。N型半导体区域(13)和P型半导体区域(14)形成雪崩倍增区域(AM)。

主权项

一种固体摄像元件，具备包含第1像素以及与所述第1像素相邻的第2像素的像素阵列，其中，所述像素阵列具备：第1导电型的基板，具有第1主面以及所述第1主面的相反一侧且光入射的第2主面；和布线层，被配置在所述第1主面上，所述基板具备：第1半导体区域，分别针对所述第1像素以及所述第2像素而形成，被配置于所述基板的内部，从所述第1主面向所述第2主面的方向延伸，并且是与所述第1导电型不同的第2导电型；第2半导体区域，分别针对所述第1像素以及所述第2像素而形成，被配置于所述基板的内部且所述第2主面与所述第1半导体区域之间，与所述第1半导体区域连接，并且是所述第2导电型；第3半导体区域，被配置于所述基板的内部且所述第2主面与所述第1像素以及所述第2像素的所述第2半导体区域之间，是所述第1导电型；第1阱区，被配置于所述基板的内部、且所述第1像素的所述第1半导体区域与所述第2像素的所述第1半导体区域之间，并且被配置于所述第1主面；像素电路，被配置于所述第1阱区内；和像素间分离区域，被配置于所述基板的内部且所述第1像素的所述第2半导体区域与所述第2像素的所述第2半导体区域之间，所述第2半导体区域和所述第3半导体区域形成雪崩倍增区域。