[发明专利]接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680051482.0 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107949447B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 川名祐贵;蔵渊和彦;江尻芳则;中子伟夫;须镰千绘;石川大 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | B22F7/08 | 分类号： | B22F7/08;B22F1/00;C04B37/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 糊料 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种接合用铜糊料，其为含有金属粒子和分散介质的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。
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