[发明专利]3-D非易失性存储器中的部分坏的块的操作在审
| 申请号： | 201680051490.5 | 申请日： | 2016-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN108028071A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | D.埃亚;I.巴兰;A.李;M.科查尔;M.帕利蒂卡;Y.Y.恩格;A.巴勒拉奥 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/04;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在3‑D块可擦除非易失性存储器中识别部分坏的块，每个部分坏的块具有一个或多个不可操作的可单独选择的NAND串的集合和一个或多个可操作的可单独选择的NAND串的集合。可操作的NAND串的集合在两个或更多个部分坏的块内被识别并被映射，以形成一个或多个虚拟块，一个或多个虚拟块被独立地分配虚拟块地址。虚拟块地址在列表中维护并且用来存取虚拟块。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 中的 部分 操作 | ||
【主权项】：
1.一种操作3-D块可擦除非易失性存储器的方法，所述3-D块可擦除非易失性存储器形成为设置在基板上方的存储器单元的多级，每个块具有并行连接的n个可单独选择的NAND串的集合，所述方法包括：识别多个部分坏的块，每个部分坏的块具有一个或多个不可操作的可单独选择的NAND串的集合和一个或多个可操作的可单独选择的NAND串的集合；在所述部分坏的块内识别可操作的NAND串的集合；从两个或更多个块映射可操作的可单独选择的NAND串的集合，以形成一个或多个虚拟块，每个虚拟块由n个可单独选择的NAND串的集合构成；将虚拟块地址独立地分配到所述一个或多个虚拟块；随后，在列表中维护所述虚拟块地址；以及随后，由所述虚拟块地址存取所述虚拟块。
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