[发明专利]半导体光学装置有效
| 申请号： | 201680052220.6 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN108040505B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 伊恩·里阿尔曼;大卫·穆迪 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体光学装置(100)，所述半导体光学装置(100)包括限定第一模式尺寸的第一波导区域(101)和限定小于所述第一模式尺寸的第二模式尺寸的第二有源波导区域。所述第二有源波导区域光学耦合到所述第一波导区域(101)，所述第二有源波导区域包括多量子阱底层(103)和位于所述多量子阱底层103)上方的多量子阱上层(105)。所述多量子阱底层(103)通过间隔层(107)与所述多量子阱上层(105)物理分离。所述多量子阱上层(105)包括模式变换区域(105a)，所述模式变换区域(105a)用于将光学模式的尺寸从所述第一模式尺寸减小到所述第二模式尺寸。在实现形式中，所述第一波导区域(101)为包括另一多量子阱层的第一波导有源区域，由所述另一多量子阱层限定的所述模式指数基本上等于由所述多量子阱底层(103)限定的所述模式指数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光学装置(100)，其特征在于，包括：第一波导区域(101)，限定第一模式尺寸；以及第二有源波导区域(103，105)，限定小于所述第一模式尺寸的第二模式尺寸，其中所述第二有源波导区域(103，105)光学耦合到所述第一波导区域(101)，所述第二有源波导区域(103，105)包括多量子阱底层(103)和位于所述多量子阱底层(103)上方的多量子阱上层(105)，其中所述多量子阱底层(103)通过间隔层(107)与所述多量子阱上层(105)物理分离；以及所述多量子阱上层(105)包括：模式变换区域(105a)，用于将光学模式的尺寸从所述第一模式尺寸减小到所述第二模式尺寸。
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