[发明专利]操作离子束的方法与装置以及离子植入机有效
| 申请号： | 201680052353.3 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028160B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·S·贝福;维克多·本夫尼斯特;法兰克·辛克莱 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/14 | 分类号： | H01J37/14;H01J37/141;H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种操作离子束的方法可包括：从离子源产生离子束，离子束具有初始传递方向；以相对于初始传递方向的初始倾斜角度偏转离子束；使离子束穿过在磁性组件中的孔；以及在孔中产生下述：沿着与离子束的初始传递方向垂直的第一方向延伸的四极场以及沿着与第一方向和初始传递方向垂直的第二方向延伸的偶极场。也提供了用于操作离子束的装置与离子植入机。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 离子束 方法 装置 以及 离子 植入 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：从离子源产生离子束，所述离子束具有初始传递方向；以相对于所述初始传递方向的初始倾斜角度偏转所述离子束；使所述离子束穿过在磁性组件中的孔；以及在所述孔中产生下者：沿着与所述离子束的所述初始传递方向垂直的第一方向延伸的四极场以及沿着与所述第一方向和所述初始传递方向垂直的第二方向延伸的偶极场。
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