[发明专利]具有内场防护有源区的半导体器件有效
| 申请号： | 201680052426.9 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN108028294B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 格拉尔德·帕恩;戈登·卡尔森;阿克塞尔·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 柏林工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/16 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹<国际申请>=PCT/EP2 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括由复数个极性单晶半导体材料层形成的层序列，所述复数个极性单晶半导体材料层各自具有指向晶体极性方向和层序列堆叠方向的晶轴。芯层序列由有源区形成，有源区由有源层堆叠体或复数个重复的有源层堆叠体制成。有源层堆叠体具有有源层和在有源层的至少两个相反侧上包埋有源层的载流子限制层，有源层具有与第一带隙能量相关的第一材料组成，载流子限制层具有与大于第一带隙能量的第二带隙能量相关的第二材料组成。一对极化防护层被布置成与有源区相邻并且在其相反侧上包埋有源区。两个极化防护层都具有第一材料组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内场 防护 有源 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括由复数个极性单晶半导体材料层形成的层序列，所述复数个极性单晶半导体材料层各自具有指向与晶体极性方向和所述层序列的堆叠方向一致的方向的晶轴；其中，/n-所述层序列由芯层序列和在所述芯层序列的沿所述堆叠方向的相反侧上的壳层序列形成；其中所述芯层序列由以下形成：/n-有源区，所述有源区由有源层堆叠体或复数个重复的所述有源层堆叠体制成，所述有源层堆叠体由有源层和载流子限制层形成，所述有源层具有与第一带隙能量相关的第一材料组成，所述载流子限制层在所述有源层的至少两个相反侧上包埋所述有源层并且具有与大于所述第一带隙能量的第二带隙能量相关的第二材料组成，其中所述有源层和所述载流子限制层被配置成在一个、两个或三个空间维度上实现所述有源层中的电荷载流子的量子限制；以及/n-一对极化防护层，所述极化防护层相邻于所述有源区并且在所述有源区的相反侧上包埋所述有源区，两个极化防护层均具有第一材料组成。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柏林工业大学，未经柏林工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680052426.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
