[发明专利]基于湿式处理的表面粗化方法在审
| 申请号： | 201680052691.7 | 申请日： | 2016-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108028194A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 桥本圭祐;染谷安信;岸冈高广;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C03C15/00;H01L33/22;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板表面的粗化方法。本发明的表面粗化方法包括下述工序：第1工序，在基板的表面上涂布含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)的组合物(a3)，然后进行干燥和固化，从而在该基板上形成有机树脂层(A)；第2工序，通过用含有氟化氢、过氧化氢或酸的溶液蚀刻形成了有机树脂层(A)的基板从而使该基板的表面粗化。特别优选的方式中，蚀刻利用含有氟化氢和氟化铵、或过氧化氢和铵的溶液进行，有机树脂层(A)以相对于有机树脂(a2)100质量份而言无机粒子(a1)为5～50质量份的比例含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)，组合物(a3)使用作为无机粒子(a1)的二氧化硅或氧化钛分散在有机溶剂中而得的二氧化硅溶胶或氧化钛溶胶、与有机树脂(a2)的溶液的混合物。本方法可应用于LED的光取出层或太阳能电池的低反射玻璃。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 处理 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面粗化方法，所述方法包括下述工序：第1工序，通过在基板的表面上涂布含有无机粒子a1和有机树脂a2的组合物a3，然后进行干燥和固化，从而在该基板上形成有机树脂层A；第2工序，通过用含有氟化氢、过氧化氢、或酸的溶液蚀刻形成了有机树脂层A的基板，从而使该基板的表面粗化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
