[发明专利]在纳米压印光刻中的基材预处理和蚀刻均匀性

摘要

一种纳米压印光刻法，其包括使由预处理组合物和压印抗蚀剂形成的复合聚合性涂层与限定凹部的纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以产生限定对应于纳米压印光刻模板的凹部的蚀刻前多个突起的复合聚合物层。将纳米压印光刻模板与复合聚合物层分离。蚀刻前多个突起中的至少一个对应于压印抗蚀剂的两个离散部分之间的边界，并且该蚀刻前多个突起的蚀刻前高度的变化为蚀刻前平均高度的±10％。使蚀刻前多个突起蚀刻以产生蚀刻后高度的变化为蚀刻后平均高度的±10％的蚀刻后多个突起，并且蚀刻前平均高度超过蚀刻后平均高度。

主权项

1.一种纳米压印光刻法，其特征在于，其包括：将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以在所述纳米压印光刻基材上产生液态预处理涂层，其中所述预处理组合物包括聚合性组分；将压印抗蚀剂的离散部分配置在所述预处理涂层上，其中所述压印抗蚀剂是聚合性组合物；随着所述压印抗蚀剂的各离散部分在所述液态预处理涂层上展开，在所述纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层；使所述复合聚合性涂层与限定凹部的纳米压印光刻模板接触；使所述复合聚合性涂层聚合以产生限定对应于所述纳米压印光刻模板的凹部的蚀刻前多个突起的复合聚合物层，其中所述蚀刻前多个突起中的至少一个对应于所述压印抗蚀剂的两个离散部分之间的边界，并且所述蚀刻前多个突起的蚀刻前高度的变化为蚀刻前平均高度的±10％；将所述纳米压印光刻模板与所述复合聚合物层分离；并且使所述蚀刻前多个突起蚀刻以产生蚀刻后多个突起，其中所述蚀刻后多个突起的蚀刻后高度的变化为蚀刻后平均高度的±10％，并且所述蚀刻前平均高度超过所述蚀刻后平均高度。