[发明专利]石墨基板上生长的纳米线或纳米锥有效
| 申请号： | 201680053114.X | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108352424B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 金东彻;艾达·玛丽·E·霍埃斯;卡尔·菲利普·J·海姆达尔;比约恩·奥韦·M·菲姆兰;赫尔格·韦曼 | 申请（专利权）人： | 科莱约纳诺公司;挪威科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/18;H01L33/24;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 沈敬亭;郑希元 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种物质的组合物，其包含：可选地携载于支撑件上的石墨基板；直接沉积于该基板的顶部上与任何支撑件相对的具有不大于50nm的厚度的晶种层；及直接于该晶种层的顶部上的氧化物或氮化物遮罩层；其中多个孔是贯通该晶种层及贯通该遮罩层至该石墨基板而存在；且其中多个纳米线或纳米锥来自于该基板于该孔中生长，该纳米线或纳米锥包含至少一种半导III‑V族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 基板上 生长 纳米 | ||
【主权项】：
1.一种物质的组合物，其包含：可选地携载于支撑件上的石墨基板；直接沉积于所述基板的顶部上与任何支撑件相对的具有不大于50nm的厚度的晶种层；以及直接于所述晶种层的顶部上的氧化物或氮化物遮罩层；其中多个孔贯通所述晶种层及贯通所述遮罩层至所述石墨基板而存在；且其中多个纳米线或纳米锥从所述基板于所述孔中生长，所述纳米线或纳米锥包含至少一种半导体III‑V族化合物。
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