[发明专利]光电转换元件及其制造方法

摘要

光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

主权项

1.一种光电转换元件，其特征在于，具有：半导体基板，其具有第一表面及所述第一表面的相反侧的第二表面；第一非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有第一导电型；及第二非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有不同于所述第一导电型的第二导电型；所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，此外，还具有设在所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间的斥液层，所述斥液层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层之间，此外，还具有：第一电极，其设在所述第二表面上，且与所述第一非晶质半导体层电连接；及第二电极，其设在所述第二表面上，且与所述第二非晶质半导体层电连接。