[发明专利]二氧化硅生产高纯度硅的方法在审
| 申请号： | 201680053414.8 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN108025917A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 阿里·沙弗迪;皮埃尔·卡宾 | 申请（专利权）人： | 派洛珍尼西斯加拿大公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025;C01B33/023;F27B3/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 加拿大魁北克省蒙特利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了使用真空电弧炉、由含二氧化硅的材料如石英或石英岩生产高纯度硅的设备和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 生产 纯度 方法 | ||
【主权项】：
1.用于由二氧化硅生产硅的设备，包括适于在其中接收给料的真空电弧炉、用于在所述炉中提供真空的真空系统，其中在所述炉中产生的等离子弧适于提供能量以将二氧化硅还原成硅。
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