[发明专利]自适应负位线写入辅助有效
| 申请号： | 201680054298.1 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108028062B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | R·萨胡 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C7/12;G11C7/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有写入辅助电路的SRAM，其对对模型化存储器单元的写入操作是通过释放负位线升压而成功的指示作出响应。所述写入辅助电路包括电容，其一个端子在写入操作期间连接到放电位线且使其另一端子浮置以在完成对所述模型化存储器单元的写入操作时终止负位线升压。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 负位线 写入 辅助 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其包括：位线对；和写入辅助电路，包含：电容器，具有耦合到负位线升压端子的第一端子以用于将负位线升压提供到所述位线对中的放电位线；第一反相器，具有耦合到所述电容器的第二端子的输出，所述反相器具有接地端子；以及开关，耦合于所述接地端子与接地之间，所述开关被配置成响应于升压跟踪信号的确证而断开以使得所述电容器的所述第二端子浮置以终止所述放电位线的所述负位线升压。
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