[发明专利]使用硅氢加成钝化的表面选择性原子层沉积有效
| 申请号： | 201680054413.5 | 申请日： | 2016-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108028172B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | K·陈;陈一宏;A·B·玛里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 加成 钝化 表面 选择性 原子 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种沉积膜的方法，所述方法包含：提供基板，所述基板包含包括氢终止表面的第一基板表面和包括非氢终止表面的第二基板表面；将所述基板暴露于钝化剂以与所述氢终止表面反应来形成钝化表面，所述钝化剂包含具有至少一个不饱和碳-碳键的有机物；以及将所述基板暴露于一种或多种沉积气体以相对于所述钝化表面选择性地在所述第二基板表面上沉积膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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